10N120BND, HGTG10N120BND
Là loại IGBT kênh N dòng 5A, điện áp 1200V, NPT với Đi-ốt siêu nhanh chống song song HGTG10N120BND là sản phẩm không đục lỗ (NPT)
Thiết kế IGBT. Đây là sản phẩm mới của MOS gated high chuyển mạch điện áp họ IGBT. IGBT kết hợp tốt nhất các tính năng của MOSFET và bóng bán dẫn lưỡng cực.
Thiết bị này có trở kháng đầu vào cao của MOSFET và tổn thất dẫn truyền trạng thái thấp của bóng bán dẫn lưỡng cực. IGBT được sử dụng là loại phát triển TA49290. Điốt được sử dụng là loại phát triển TA49189.
Đặc trưng
• 35A, 1200V, TC = 25oC
• Khả năng SOA chuyển mạch 1200V
• Đánh giá ngắn mạch
• Suy hao dẫn điện thấp

Sơ đồ

Mạch kiểm tra và ứng dụng
Mạch kiểm tra công tắc cảm ứng sử dụng HGTG10N120BND











