Giới thiệu
– Đây là dòng IGBT kênh N.
Tính năng
– Cổng rãnh và công nghệ wafer mỏng (dòng G6H).
– Bộ thu thấp để phát điện áp bão hòa VCE (sat) = 1,7 V typ.
– Chuyển mạch tốc độ cao tf = 100 ns typ.
– Dòng rò rỉ thấp ICES = 1 μA tối đa.
– Chịu được dòng lớn.
– Tuân thủ quy định an toàn RoHS.
Ứng dụng
– Dùng cho biến tần, bếp từ và các ứng dụng chuyển mạch nhanh khác.
Cấu tạo RJP63F3A

Kích thước RJP63F3A

Bảng thông số RJP63F3A











